・10 〜 6000 MHz、50Ω
・PSAT +38.5dBm typ
・6W以上の高出力 (PIN = +26dBm)
・35%の高効率PAE
・ラージ シグナルゲイン 12dB typ
・利得平坦度 ±1dB以下
・低IM3 -32dBc typ(POUT = +26dBm/トーン)
・低IM5 -56dBc typ(POUT = +26dBm/トーン)
・GaN-on-SiC HEMT テクノロジー
・動作温度範囲 -55℃ 〜 +95℃
・+28V電源(400mA)で動作
・5×5mm 32ピンQFNパッケージ
