・10 〜 2500 MHz、50Ω
・PSAT +40dBm typ
・8W以上の高出力(PIN = +26dBm)
・47%の高効率PAE
・ラージシグナルゲイン 13.5dB typ
・利得平坦度 ±0.5dB以下
・低IM3 -30dBc typ(POUT = +26dBm/トーン)
・低IM5 -57dBc typ(POUT = +26dBm/トーン)
・GaN-on-SiC HEMT テクノロジー
・動作温度範囲 -55℃ 〜 +95℃
・+28V電源(400mA)で動作
・4×4mm 20ピンQFNパッケージ
